半导体远红外光谱研究

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该文首先对远红外光谱的物理图像和傅立叶变化光谱的原理进行了说明.同时也给出了理论拟合光谱的公式推导,以及实验仪器的简要介绍.接下来我们报导了近期完成的对PbSrSe薄膜和n-GaAs新型远红外探测器结构的光谱研究.这两种材料和结构作为近期半导体研究的新材料和新器件分别在中红外探测器、激光器和远红外探测方面有广泛的应用前景.对于PbSrSe薄膜材料我们依次测量了三块有不同Sr组分的样品以及PbSe和SrSe两块薄膜作为比较.从发光谱和XRD谱上我们对样品进行了初步分析,得到了材料的一些基本参数.通过三层结构模型的计算,我们很好地拟合出了远红外反射光谱.从中我们重点得到了PbSrSe薄膜横光学声子的基本信息.对于新型的n-GaAs远红外探测器结构的研究主要以提高探测器的吸收为目的.通过对n-GaAs远红外探测器结构的远红外反射和透射谱的拟合.我们得到了各层中的自由载流子浓度和弛豫时间,研究了载流子浓度对探测器结构内光学常数的影响.
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