【摘 要】
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使用微区拉曼谱仪测量了三种不同掺杂的GaAs（100）衬底（N-,P-,SI-)的拉曼谱,用分子束外延技术在三种衬底上同时生长了相同厚度的ZnSe外延层,并且测量了ZnSe/GaAs异质结构的拉曼光
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使用微区拉曼谱仪测量了三种不同掺杂的GaAs（100）衬底（N<+>-,P<+>-,SI-)的拉曼谱,用分子束外延技术在三种衬底上同时生长了相同厚度的ZnSe外延层,并且测量了ZnSe/GaAs异质结构的拉曼光谱,通过比较不同样品在不同激发光强下的拉曼谱,研究了掺杂和光生载流子的效应.对GaAs衬底,观察到未受屏蔽的LO声子模和等离子-LO声子耦合模,但后者具有不同的特点.在n<+>-GaAs中,等离子是由电子形成的,而在SI-GaAs和p<+>-GaAs中,等离子主要来源于空穴.对于ZnSe/GaAs异质结构,在相同激发光强度下,发现在GaAs中的光生载流子浓度有显著的增强,表明在ZnSe/GaAs异质结中光生载流子有更小的复合率和更长的寿命.通过拉曼谱的分析,我们得到了上述三种ZnSe/GaAs是质结构的能带图.在不同偏振配置下测量的拉曼光谱表明,在禁戒的配置条件下,没有观测到任何电场诱导的拉曼散射信号.也测量了不同ZnSe厚度的ZnSe/n<+>-GaAs异质结构的拉曼谱,并且分析了界面附近的位错缺陷和能带弯曲对异质结构中的拉曼谱的影响.
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