在微流控技术领域,壁面带电的纳米通道可以起到与离子选择性膜类似的作用,因此对微纳复合管道的相关研究也取得了重大进展。本文利用两组纳米通道阵列连接三个平行微米通道建立对称模型,通过数值模拟解释了通道内的除盐机理。例如,当纳米通道阵列两侧的电势差(V_cn)等于10倍的热电压（V_T）时,系统的除盐率已经可以达到90%左右,V_cn等于20V_T时即可以超过99%,且随着V_cn越大,系统除盐率增长得越缓慢;流体运动方面,分析了压力流的成因,当V_cn等于零时,通道内流体的运动主要以第一类电渗流（EOF1）为主,当V_cn逐渐增大时,通道内压力流占主导地位,对上游流体运动形成正向补偿,对下游流体进行反向补偿;当V_cn足够大时,在微纳米通道结合处会产生非线性涡流,即为EOF1显著增强以后表现出来的泵效应;流体速度方面,研究了通道内流体的平均速度随着通道出入口处的电势差(V_LR)和V_cn二者一起变化的趋势、纳米通道阵列附近的第二类电渗滑移速度(U_S2)和V_cn之间的变化关系。当V_cn相对V_LR较小时,水流的平均速度随着V_cn增长较为缓慢,此时通道内EOF1占主导地位,而当V_cn值进一步增大时,此时第二类电渗流（EOF2）起主要作用,系统的平均速度随V_cn完全线性变化,且发现V_LR越大时,系统进入完全由第二类电渗流主导的线性阶段所需要的V_cn值也越大。此外,分别研究了在长直嵌膜通道和微纳米复合通道的出入口施加对称电压后通道内第二类电渗滑移速度与V_cn之间的关系;接着在嵌膜微通道内加入方形障碍物阵列并改变阵列左右位置坐标,对比系统前后各个特征的差别,发现加入障碍物阵列以后通道内流体平均速度均降低,除盐率更高,第二类电渗流受到明显抑制,还发现个别位置可以扩大除盐区域。为提高通道内除盐率提供了新方法。