金刚石是一种拥有着多种优异性能于一身的超硬功能材料,应用领域十分广泛。它拥有着耐强酸强碱,高透光性等特性,并且拥有着自然界最大的莫氏硬度和超高的热导率,目前为止我们都无法找到一种能与金刚石相媲美的材料。纯净的金刚石不仅能作为特殊的功能材料,更是作为珠宝而被大众所熟知。并且金刚石通过掺入一些特定元素,可以制作成为半导体材料,其具有的高频率,高功率,高耐热性,高热导率,高载流子迁移率使得金刚石被认为是有着极高潜力的半导体材料。制作半导体金刚石,通常向金刚石内部添加硼元素作为受主杂质,表现出p型半导体的性质。但是当硼元素添加量提高时,晶体质量下降,出现很多缺陷,并且电导率并没有随着硼元素的添加量提高呈线性增长。因此,高质量、高均匀度、高电导率的硼掺杂金刚石制备仍是一个值得研究的课题。最近的理论研究表明:多种元素共同掺杂可能是一种使得金刚石半导体性能更优异的方法,将硼元素与其它元素一起掺入金刚石晶体内部,以此来改善其电学性能。相关研究已经对氢元素在半导体中的影响做了许多探索,结果表明氢元素是一种优秀的协同掺杂元素,可以改善半导体中的缺陷以达到电学优化的目的。因此对于硼氢共掺杂金刚石的研究是很有意义的。针对此研究方向,我们对于硼氢共掺杂金刚石的合成做出研究。本文通过国产六面顶压机获得高温高压环境,采用温度梯度法,以KBH4作为添加剂提供丰富的硼元素与氢元素,在不同的触媒体系下成功合成出金刚石大单晶。对合成晶体进行光学照片分析等,探讨了不同触媒体系下晶体生长情况。对比不同触媒体系下的晶体情况,结果表明选取不同的触媒对于KBH4掺杂金刚石有着很大影响,其中NiMnCo触媒中生长的晶体性质皆优于FeNi触媒,并且NiMnCo触媒比FeNi触媒更有利于硼元素进入金刚石中。