VO<,2>相变前后的光学开关特性可以应用在“智能窗”上，如何实现这一应用具有重要研究价值。本论文详细讨论了三种主要钒氧化物的一些重要特性，并结合反应磁控溅射的基本原理、反应过程及沉膜机理，设计了实验方案，并制备了16个试样。 制备的试样经XPS、XRD、SEM、AFM的检测分析，并应用ORIGINPro7.0软件对V<,2p3／2>的分峰拟合得出：沉积速率在1.06～2.22A／s之间有利于生成四价的钒，当沉积速率≤0.43A／s时，容易生成五氧化二钒；m（O<,2>）／m（Ar）比在1：12和1：13之间制备的薄膜，VO<,2>的面积百分比较高，且薄膜呈柱状多晶结构，具有明显VO<,2>的（221）晶向的择优取向生长特征；基片温度在250℃时，VO<,2>的衍射峰最强，当基片温度高于300℃，V<,2>O<,3>、VO<,2>、V<,2>O<,5>的比例趋于一致，晶粒取向趋向杂乱；450℃保持2h的真空退火处理可以明显减少氧化钒薄膜的氧缺陷，有利于制取所需钒氧原子的化学计量比。 通过实验得出一组最佳的制备VO<,2>薄膜的工艺参数：靶基间距为5cm、工作真空度为2.2Pa、溅射功率为190w、m（O<,2>）／m（Ar）比为1：12.5、基片温度为250℃。