铌酸锂晶体是一种被广泛使用的人工晶体，具有良好的电光、声光、压电和光折变等特性，尤其是实施不同掺杂后能呈现出多种特殊性能，被誉为“光学硅”。现阶段报道的铌酸锂掺杂工程，基本是金属离子掺杂为主，杂质在晶格中位于铌位或锂位，少有非金属元素掺杂。基于此，本论文提出，如果掺杂离子是非金属元素，那么其在铌酸锂晶体中是否会占据氧位，从而形成新的缺陷，表现出不同的的性能？本文选用氯化钠和氟化钙作为掺杂物质，研究其对晶体性能的影响。　　第一章，简介了铌酸锂晶体的基本情况，并介绍了铌酸锂晶体的各种掺杂。　　第二章，介绍了提拉法生长晶体的工艺，并成功生长了一些列氯化钠掺杂铌酸锂晶体和氟化钙掺杂铌酸锂晶体。　　第三章，研究了氯化钠掺杂铌酸锂晶体的光折变性能。通过全息存储实验，我们发现在532 nm激光下，氯化钠掺杂铌酸锂晶体的衍射效率可以达到14.21％，响应时间为27.9 s，在488 nm光下，衍射效率可以达到16.76%，响应时间为14.1 s，全息性能比同成分晶体优秀；通过光斑畸变实验，我们发现在532 nm激光下，掺杂氯化钠的晶体抗光损伤阈值为102 W/cm2量级。　　第四章，研究了氟化钙掺杂铌酸锂晶体的光折变性能。通过全息存储实验，我们发现在488 nm激光照射下，氟化钙掺杂铌酸锂晶体的衍射效率可以达到6.48%，响应时间为100 s左右；通过光斑畸变测量，我们研究了氟化钙掺杂铌酸锂晶体的抗光损伤性能，在532 nm光下其抗光损伤阈值为102 W/cm2量级。　　第五章，我们总结了氯化钠掺杂铌酸锂晶体和氟化钙掺杂铌酸锂晶体的实验结果，指出了不足之处，并制定了下一步的研究方向。