AAO模板因高度有序的纳米孔阵列结构，而在有序纳米结构的制备中得到广泛的应用。当今，硅基光电子器件正向纳米层面推进，在硅基上制备可控有序的纳米结构变得尤为重要。人们已经成功地将AAO模板移植到硅基上，制备出硅基AAO模板，并在此基础上合成各种纳米材料。这些成果对纳米光电器件的制备具有重要意义。　　 本论文围绕硅基AAO模板的制备展开实验，侧重于超薄硅基AAO模板的制备和AAO模板的定量刻蚀，主要包括以下内容：　　 (1)在硅基Al进行一次阳极氧化的过程中，通过实时电流监测，精确控制硅基Al的氧化时间，成功制备了硅基AAO模板。研究了硅基AAO模板的生长机理，得出精确控制氧化时间对成功制备硅基AAO模板具有重要意义。同时，也研究了电解液温度、硅基Al膜的质量等因素对硅基AAO制备的影响。　　 (2)利用二次阳极氧化法，改善了硅基AAO模板的表面形貌。同时，利用颜色指示法结合实时电流监测法，探索了不同质量的硅基Al对制备超薄硅基AAO模板的影响。随后，仅利用一次阳极氧化法，制备了150nm超薄硅基AAO模板。并利用二次阳极氧化法，重点结合颜色指示法获得了厚度为50nm的超薄硅基AAO模板。　　 (3)通过NaOH溶液、磷铬酸和不同浓度的磷酸溶液，对AAO模板进行湿法刻蚀，发现质量分数为3％的H3PO4的刻蚀效果最佳，刻蚀期间模板质量的减少与刻蚀时间呈良好的线性关系，这适合于AAO模板定量刻蚀。另外，在刻蚀过程中发现了大量的Al2O3纳米线。这些纳米线是由于刻蚀液对AAO模板孔壁的刻蚀而产生的。它们的生长-溶解平衡对保持AAO模板的线性刻蚀速率起着重要作用。