硅纳米线的可控生长及光电性能的研究

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【摘要】

：

硅纳米线具有优于体硅和非晶硅材料的光学和电学特性,如高的陷光效应、载流子收集效率、量子限域效应和带隙可调等优点,因而在光电器件领域具有广泛的应用价值。本文首次使用射频磁控溅射法成功地在ITO玻璃上制备出硅纳米线(SiNWs),通过控制生长温度、Ar/H2及沉积时间实现了对硅纳米线的直径、长度与密度的可控生长。系统地研究了生长温度和Ar/H2对硅纳米线的表面形貌、内部晶体结构、光学和电学特性的影响。

【作者】

：

伍海峰

【机构】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2017年01期

【关键词】

：

硅纳米线碲薄膜铋催化剂碲/硅纳米线结构

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