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ZnS和PbS材料已经分别广泛应用于各种光电子器件中,特别是在太阳能电池上的应用,有关他们的制备工艺及其在光电子器件中的应用也不断有报道。但是,由于ZnS是一种宽带隙的半导体材料,而PbS是一种窄带隙材料,若将这两种材料进行混合,必然会出现与硫化锌和硫化铅单种材料完全不同的性质,薄膜的光学常数和光学带隙都会发生改变。目前,对于制备ZnS和PbS混合薄膜的报道非常的少。基于这个想法,本论文研究目的就是,研究制备参数和工艺对薄膜结构和光学性质的影响。主要内容包括：首先,采用电子束蒸发的方法在石英基片上一次沉积ZnS与PbS混合薄膜多个样品,随后将不同样品在10-3Pa的真空中分别在100℃-600℃退火1h。结果发现,制备态样品为非晶态,300℃真空退火的样品己开始结晶；当退火温度不低于500℃时,混合薄膜中的PbS大量挥发,因为退火后样品中的PbS含量明显减小。随着退火温度从100℃升高到600℃,样品的表面粗糙度和表面颗粒尺寸是先减小、后增大；光学透射率则呈现先升高后下降再升高的变化特性。其次,利用电子束蒸发的方法在石英基片上沉积不同成分比的Zn-Pb-S混合薄膜,靶材中PbS/(PbS+ZnS)的重量百分比0%增加到60%。结果表明：未掺杂的ZnS薄膜为多晶结构,随着PbS的掺入,薄膜从多晶结构转为非晶结构。当混合薄膜中Pb原子百分比大于10%时,样品中S原子的百分比小于40%,薄膜中出现了金属态的Pb和Zn当样品中Pb原子百分比大于3%时,薄膜的表面粗糙度和表面颗粒直径均随样品中Pb含量的增加而增大。随着样品中Pb含量的增大,薄膜的透射率极大值减小,消光系数增大；当Pb含量小于10%时,样品的折射率随Pb含量的增加而减小；而当Pb含量大于10%时,样品的折射率随Pb含量的增加而增大。随着Pb含量从0%增加到37%,样品的光学带隙从3.31eV减小到1.87eV。最后,采用化学浴沉积的方法在石英基片上沉积厚度约为220nm的PbS薄膜样品5个,随后将样品在10-3Pa的真空中分别以不同温度退火1h。结果发现,制备态薄膜的结晶性能比较差,随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能越来越好；薄膜的表面粗糙度和表面颗粒直径均随退火温度的升高先减小后增大再减小。随着退火温度的增大,薄膜的透射率极大值减小,折射率和消光系数均增大；随着退火温度从225℃增大到300℃,样品的光学带隙从2.1eV减小到1.6eV。