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13.56 MHz/2 MHz柱状感性耦合等离子体特性的对比研究
【摘 要】
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射频感性耦合等离子体源可以在较低的射频电压下产生密度较高的等离子体、独立控制等离子体密度和入射到基片台上的离子能量,且不存在电极干扰。近年来,被广泛应用于半导体芯片刻蚀、薄膜沉积及材料加工等领域。随着芯片面积变得越来越大,刻蚀线宽变得越来越细,对等离子体技术提出了更高的要求。这些工艺需求的提高,不仅仅是一个技术问题,更重要的是需要对等离子体工艺进程中涉及到的一些复杂的物理问题进行深入研究。例如,外
【机 构】
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大连理工大学
【出 处】
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大连理工大学
【发表日期】
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2019年01期
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