近年来，纳米材料已成为非常热门的研究领域之一，它是一门研究纳米尺度(0～100nm)为基本单元的材料所具有的性质的学科.石墨烯的发现使得科学界对碳纳米材料的研究达到高峰，其中石墨烯中的电子输运性质的研究是当前研究领域之一.本文我们设计了Thue-Morse序列石墨烯超晶格模型和磁场下第五代Thue-Morse序列石墨烯超晶格模型，利用传递矩阵方法研究了这两种模型中的电子输运性质和散粒噪声.得到的主要结果概述如下:　　 首先我们研究了Thue-Morse序列石墨烯超品格中的电子输运和散粒噪声.计算结果表明:Klein佯谬在垂直入射情况下发生，隧穿几率在斜入射时依赖于体系势垒宽度和高度.零平均波数隙敏感依赖于势垒宽度而微弱依赖于入射角度，其它Bragg隙不但敏感依赖于势垒宽度而且依赖于入射角度.随着势垒宽度或高度的增大，电导最小值所对应的费米能量向高能方向移动，在狄拉克点处的Fano因子恒为1/3。　　 其次我们研究了磁场下第五代Thue-Morse序列石墨烯超晶格中的电子输运和散粒噪声.计算结果表明:存在磁场时，隧穿几率不再关于θ=0对称，随着磁场强度的增大，隧穿几率向小角度方向移动，其峰值数目减少.只增大A势垒的高度时，隧穿隙向高能方向移动，隧穿隙宽度(△E)保持不变;只增加磁场强度时，隧穿隙位置不变，而其宽度逐渐变大.无缺陷时，随着磁场强度的增大，电导最小值减小，Fano因子最大值增大;存在缺陷时，隧穿隙、电导和Fano因子都发生突变，狄拉克点处的隧穿隙和电导出现一个尖锐的峰值，在高磁场下其峰值消失，而Fano因子则出现一个极小值。