多铁材料在理论研究和实际应用中都有着很重要的地位,而尖晶石材料中特殊的磁结构使得尖晶石基多铁材料的研究价值大大提升。鉴于单相第I类多铁材料自身的限制性以及当前对第II类多铁材料的介电性能研究较少,本文主要对尖晶石基第I类多铁复合材料以及第II类多铁材料的磁性、介电性能等进行了研究,主要研究成果包括:（1）通过溶胶-凝胶旋涂法制备了Bi4Ti3O12/NiFe2O4纳米复合薄膜。X射线衍射表明我们成功制备出了正交相的Bi4Ti3O12和立方相的NiFe2O4,且没有任何额外的杂相。扫描电子显微镜和能谱分析结果表明,两种相生长均匀致密,且界面清晰。而磁性测量表明该复合薄膜具有室温铁磁性能,同时,我们还测得了其室温铁电性能,以及良好的疲劳耐久性能和低漏电流密度。样品的介电常数随频率的变化呈单调递减趋势,且介电损耗较低。此外,纳米复合薄膜在室温下表现出明显的磁介电行为。Bi4Ti3O12/NiFe2O4纳米复合薄膜的铁磁和铁电共存（包括磁介电效应的出现）证明了其具有室温多铁性。（2）采用溶胶-凝胶法合成了（1-x）Bi2Fe4O9-x MgFe2O4复合陶瓷材料,并对复合陶瓷的晶体结构、形貌、磁性和介电性能进行研究。X射线衍射分析表明,该复合陶瓷中正交Bi2Fe4O9相和尖晶石MgFe2O4相共存,不存在第三相。扫描电子显微镜结果显示,Bi2Fe4O9和MgFe2O4晶粒尺寸不同,且晶粒分布均匀。磁性测量表明,随着MgFe2O4含量的增加,复合陶瓷的矫顽场减小,而剩余磁化和饱和磁化强度会增大。介电常数和电模量在温度范围为27～527°C,频率范围为1～30 k Hz的测试中,出现低温区和高温区的两个异常峰,其中的电学性能变化与MgFe2O4密切相关。介电常数和电模量测试结果表明,（1-x）Bi2Fe4O9-x MgFe2O4具有介电弛豫现象。结合激活能的研究,介电弛豫主要是由MgFe2O4掺杂的热激活过程中本质上占主导地位的各种载流子的不同电学响应引起的。（3）用溶胶-凝胶法成功制备了形貌均匀具有四方相的NiCr2O4样品,样品具有较高的室温介电常数。我们通过介电常数、介电损耗、复电模量和阻抗随频率或温度的变化的测量,证明了材料在室温下的弛豫行为。其次,等效电路模拟的分析证明了低温下晶粒对样品介电弛豫的影响和高温下晶粒与晶界对介电弛豫的共同贡献。此外,磁介电响应的变化表明样品存在磁电耦合效应。对于在不同的温度范围内得到的正、负磁介电系数,我们猜测是因为有两种不同的机制来控制磁电耦合效应。其中,本征磁电耦合导致了低温下与频率无关的磁介电行为,而当温度高于150 K时,Maxwell-Wagner效应导致了随频率变化的大磁电耦合系数。由于漏电流会导致磁介耦合系数的负值,漏电机制会和Maxwell-Wagner机制相竞争导致了室温下的系数交叉。这些特性使NiCr2O4在磁场传感器、驱动器等领域有潜在的应用价值。（4）为进一步研究NiCr2O4,我们采用共沉淀法成功制备了不同退火温度的纳米NiCr2O4样品。通过X射线衍射分析,我们观察到随着退火温度的升高,NiCr2O4的晶相由立方相向四方相转变。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜表征,我们发现平均粒径随着退火温度的升高从80 nm增加到280 nm。通过对不同退火温度的样品的介电性能进行测试,我们看到了与1100°C温度下退火的NiCr2O4样品相似的性能规律。在温度为10 K时,我们观察到了磁滞回线沿场轴移动的交换偏置行为,且这种影响伴随着退火温度的升高逐渐减弱。零场冷和场冷条件下的磁化强度随温度的变化表明,样品在72 K温度下发生了亚铁磁相变,在25 K温度下出现了螺旋磁序相变,且随着退火温度的升高,亚铁磁相变点略向低温移动。根据测量结果分析,纳米NiCr2O4的交换偏置效应随退火温度的提高而出现以及演化都来源于晶格转变和表面自旋效应。