弛豫铁电体是近年来人们广泛研究的一个热点。它们的共同特征是同等阳离子位置被不同的阳离子所共同占据。典型代表为Pb(B1B2)O3型弛豫铁电体，具有共同的特征：弥散型相变，频率色散，高介电系数、高重复性的电致应变，是用于多层陶瓷电容器、压电传感器、电致伸缩驱动器的主要材料。 本文中所选的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3(PZN-PZT)三元系压电陶瓷在相界附近具有很高的压电系数，可以在较低的烧结温度下得到致密的陶瓷，在微位移驱动器，精确定位装置和多层陶瓷电容器等领域有广泛的应用前景。为了进一步提高陶瓷材料的压电性能，研究材料结构与性能变化机理，本文中开展了以下三个部分的研究工作： 1.选择三种离子半径不同的镧系元素(La，Nd，Sm)对PZN-PZT陶瓷进行掺杂改性，系统研究掺杂对相结构，显微组织以及介电，压电性能的影响。发现随着掺杂离子半径的减小，材料的性能呈现规律变化：置换位置由A位转向B位，不利于钙钛矿晶格结构的稳定性，对性能的改性作用逐渐降低。焦绿石相生成和比例与掺杂离子的电荷不平衡状态密切相关，在某些应用时，少量焦绿石相的存在是允许的。 2.比较热压烧结和常压烧结工艺对材料的影响。发现热压烧结制得的陶瓷材料结构致密，均匀，性能得到明显改善，以La掺杂PZN-PZT材料的压电系数d33为例，热压烧结样品要比常压烧结提高20％。同时，降低了烧结温度，对材料的实际应用有很大的意义。介电温谱上显示除了铁电－顺电相变温度外，还有两个场致特征温度Tnr(正常－弛豫转变)和Trt(三方－四方相变)，并且这两个温度随着La掺杂量的增加而逐渐降低。 3.根据有序无序弛豫理论，根据应用目标，有选择地改变材料B位(Zn/Nb)微区组分，考察相结构，性能以及弥散相变的变化。研究表明，通过B位(Zn/Nb)微区组分调整，有助于PZN-PZT陶瓷材料性能的优化。 4.首次提出，可以通过添加过量ZnO来提高La掺杂PZN-PZT陶瓷性能的观点，用大量实验进行验证，并对其机理进行探讨。该研究尚未见报道。