二维平面材料石墨烯有着独特和优异的电学特性，将在高速和射频领域显示巨大的应用潜力。本论文对石墨烯和金属的接触进行了研究，所取得的主要研究成果如下:　　 1.利用金属催化CVD方法，可以得到大面积的，层数可控的石墨烯材料。但是Cu催化CVD制备的石墨烯材料，由于受到衬底散射和晶界散射的影响，其迁移率不及剥离的石墨烯材料。利用弱局域化理论仔细地讨论了石墨烯内部的载流子的散射机制。使用CVD生长的单晶石墨烯材料，减弱了石墨烯中载流子之间的晶界散射，石墨烯中载流子的迁移率可达4000 cm2/(V·μm)。　　 2.金属钯(Pd)由于其良好的浸润性和高的功函数，被选作为与石墨烯的接触电极。研究了各步制作工艺对本征石墨烯材料特性的影响。创新的提出了金属掩膜工艺和深紫外线照射的方法，减小了石墨烯表面有机物的残余，缩短了载流子在金属和石墨烯接触区域的传输距离，接触电阻降低到320Ω·μm。　　 3.使用臭氧UV处理，破坏接触区域石墨烯的晶格完整性;引入双接触结构，利用背接触电极对接触区域的石墨烯掺杂，增加了接触区域的导电模式数。利用CVD生长的石墨烯材料，金属和石墨烯接触电阻减小到140Ω·μm。　　 4.结合优化的金属和石墨烯的接触工艺，利用复合栅结构，制备了石墨烯的顶栅器件。器件的栅长为3μm，载流子的迁移率为3700 cm2/(V·μm)，ft·Lg达到12 GHz·μm。