电荷俘获存储器相关论文
随着大数据时代的到来,数据存储彰显出其重要价值。目前进一步缩小存储器尺寸,提升存储性能主要有两个方向,一是研究新型存储器件,......
非易失存储器是集成电路最重要的技术之一,广泛应用于信息、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域,有着巨大的市场。......
随着信息技术的不断发展,智能终端数目爆炸式增长,这一过程中存储产业起到了不可忽视的作用。为实现设备轻量化,提升设备运行速率,......
信息时代的快速发展使得电子产品逐渐普及,激活了庞大的存储器产品市场,进而推动了半导体技术的不断革新,将半导体技术节点继续向......
随着科技的不断发展,对电子产品的要求越来越高,这推动了半导体存储器的发展。随着集成度的不断提高,传统的Complementary Metal-O......
目前,Flash Memory在非易失性半导体存储器市场上占有很大的份额,因为它具有高密度、低功耗、小体积和高可靠性等优点。但是随着微......
近几十年来,便携移动电子产品在人们日常生活中的应用越来越广泛,在这些产品之中,Flash存储发挥着极其重要的作用。未来Flash存储......
建立界面缺陷态密度随时间变化的模型。对电荷俘获存储器在不同应力条件下的可靠性进行模拟，为正常工作情形下，电荷俘获存储器内界面......
闪存是当前非易失性半导体存储器市场上的主流存储器件。随着闪存进入20纳米工艺节点,基于传统浮栅结构的闪存技术正面临严重的技......
随着半导体器件工艺的飞速发展,半导体器件尺寸不断减小,集成密度不断提高。作为半导体器件中的一员,非易失性存储器也不断地往高......
伴随着半导体技术的不断进步,半导体器件的尺寸持续缩小。传统的浮栅型存储器也同样面临着器件尺寸小型化的挑战。当半导体器件的......
基于密度泛理论的第一性原理以及VASP软件,研究了电荷俘获存储器(CTM)中俘获层HfO2在不同缺陷下(3价氧空位(VO3)、4价氧空位(VO4)......
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为......
