量子点(QDs)是一种独特的发光材料,具有可调节的发光波长,饱和的发射颜色,接近100%的量子产率,高的光稳定性和热稳定性以及可采用溶液法加工处理等优点。量子点这些优异的性能,使量子点在许多领域都有很好的应用前景。以量子点作为研究基础的量子点发光二极管(QLED)也同样受到研究工作者的广泛关注。随着对量子点合成技术、结构的优化,以及对器件的结构、电荷传输层材料的改善,器件的效率、亮度和稳定性都得到了明显的提升。但是蓝色器件的整体性能依然落后于红色和绿色。与红色和绿色量子点相比,蓝色量子点的最高占据分子轨道(HOMO)较低,空穴传输层(HTL)与量子点的HOMO之间的能级势垒较大,造成空穴的注入比较困难,电子注入过剩,电荷注入不平衡等问题从而导致器件的整体性能较差。在构筑器件过程时,为了有效降低空穴的注入势垒,提高空穴的注入,既可以采用价带较低的空穴传输层或采用逐级降低的空穴传输层来提高空穴的注入,也可以采用在QDs与电子传输层(ETL)之间增加一层阻挡层来抑制电子的过量注入,提高电荷注入平衡,继而提高器件的效率。近期研究者们发现,优化电荷传输材料,可以使蓝色器件的性能得到一些提升,但此方法的研究目前还处于初级阶段,需要不断尝试与优化。与此同时,我们发现仅仅通过对量子点的结构进行设计与合成,选择与空穴传输层能级匹配的量子点对器件性能的提升更为明显。经过研究人员多年的研究发现要想获得高效率高亮度的蓝色QLED,高量子产率以及高稳定性的量子点是关键。通常对量子点进行包覆壳层可以改善量子点的性能,有效缓解由于长时间暴露于空气中被水氧的侵蚀而导致量子点稳定性较差的问题,从而提高了量子点的稳定性。在构筑蓝色发光器件时,量子点多是以Cd ZnS为基础的量子点,因为合金结构的量子点较容易获得高质量的蓝色量子点。但此类器件由于空穴的注入势垒较大,导致空穴的注入效率较低。虽然有时通过优化电荷传输材料与器件结构,提高了载流子注入平衡获得了较高的效率,但其亮度又较低,亮度和效率难以同时达到一个较高的水平。基于此,我们以CdZnSeS量子点为基础,通过组分调控,调节发光层量子点的能级。探究对器件性能的影响。本论文主要从以下的两个方面来展开工作:(1)采用无磷化合物的合成路线,基于组分的调控以及壳层的生长来制备蓝色CdZnSeS/ZnS核壳量子点。在S与Se的比例为3:1,包覆7层ZnS时得到发光峰位468nm,半峰宽29 nm的蓝色CdZnSeS/ZnS量子点,并以此量子点作为发光层构筑器件,得到器件的最大亮度为3315 cd/m2,最大外量子效率为0.865%,最大电流效率为0.743cd/A;(2)以三辛基膦(TOP)作为Se与S的溶剂,形成TOP-Se/TOP-S作为前驱体合成CdZnSeS梯度合金量子点。经过对CdZnSeS梯度合金量子点进行组分的调控,在Zn:Cd比为20:1以及S:Se比为23:1时,得到发光峰位为487 nm,量子产率87%,半峰宽25 nm的高质量蓝色梯度合金量子点。并在优化后的量子点上面生长ZnS壳层,随着量子点壳层的包覆,量子点的峰位蓝移至483 nm,并且可以维持CdZnSeS的高色纯度,CdZnSeS/ZnS核壳量子点的半峰宽同样为25 nm。随后以这两种量子点作为发光层来构筑器件,CdZnSeS量子点的电致发光峰位相比于荧光光谱仅有2 nm的红移,半峰宽27nm,器件的最大电流效率,最大亮度以及最大外量子效率分别达到了7.66 cd/A,12630cd/m2,以及7.23%。以CdZnSeS/ZnS核壳量子点作为发光层来构筑蓝色QLED,得到器件的最大电流效率,最大亮度,最大外量子效率分别为10.47 cd/A,19010 cd/m2,8.24%。且器件的电致发光峰为484 nm(相比于光致发光峰仅红移1 nm),光谱半峰宽为26 nm。随着电压的升高器件电致发光光谱没有明显的红移。这主要是因为我们合成了高质量,高稳定性的CdZnSeS/ZnS核壳量子点。