有机电子作为一个新兴的研究领域，由于其低成本、柔性和可大面积制造等优点得到学术界和企业的广泛关注，成为目前的研究热点。有机半导体器件，尤其是有机场效应晶体管(OFET)器件，是有机电子技术的基础。本论文选择相对成熟的酞菁铜作为有机半导体材料，研究有机场效应晶体管及其相关的器件电路。主要研究内容包括：　　 1.结合传统硅基场效应晶体管器件，介绍了OFET的器件结构、工作原理、重要性能指标、材料选择以及其在存储器和有机电路方面的应用。　　 2.从制备工艺的角度出发，研究了OFET制备过程中的一个关键步骤：有机半导体膜层的形成与图形化方法。由于有机半导体材料的特殊性，在膜层形成方面，可以采用电化学聚合、真空蒸发、液相处理、有机气相蒸镀、LB膜等方法制备。在膜层图形化方面，从非传统技术和与传统硅光刻相兼容的技术考虑，可以采用打印、shadow mask、双层胶工艺等方法。　　 3.基于有机半导体材料酞菁铜(CuPc)和有机绝缘体材料聚酰亚胺(PI)，制备了底栅顶接触式有机场效应晶体管。对制备的OFET进行了测试，证明其具有良好的场效应特性。同时发现：零栅压时源漏电流(关态漏电流)不为零的现象和光照条件下双向扫描栅压时出现回滞的现象。分析了这两种现象产生的原因，提出了减小关态漏电流的措施及CuPc-FET在光传感和光存储方面潜在的应用前景。　　 4.采用有机薄膜晶体管的简单器件结构，提出了一种新的纳米晶有机薄膜晶体管存储器件。器件结构为n+-Si(G)/PI/nc-Au/PI/S&D，该器件具有存储效应，为实现全有机存储电路打下了基础。　　 5.基于CuPc-FET设计并制备了全p-OFET有机反相器电路。重点研究了其中的关键工艺：用于电互连和电极引出的过孔制备工艺和用于电路图形化的shadow mask的制作工艺。