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有机薄膜晶体管(OTFTs)由于具有制备温度低、大面积加工和兼容柔性基底等优点，在有源矩阵显示、集成电路、化学传感器等方面显示出广泛的应用潜力。OTFTs中金属(M)—有机(S)间的高接触电阻严重影响器件性能以及器件电学参数的提取。因此如何改善OTFTs的M-S接触性质、提高器件性能成为有机电子学领域的重要挑战。本论文的主要内容如下：
首先，建立了适合于顶接触构型OTFTs的光刻工艺，成功制备了沟道长度为5μm的OTFTs器件。利用TLM法提取了定量化的接触电阻，并对其性质进行了讨论。对器件的迁移率进行了接触电阻的修正，发现通常理解的线性区迁移率低于饱和区迁移率很大程度是源于接触电阻的影响。
其次，笔者发现有机异质结界面的高电导特性是比较普遍的现象，并利用有机异质结作电接触材料改善了M-S间的接触性质。同时深入探讨了有机异质结的形成机制和作为缓冲层对M-S间接触性质的改善机制。
最后，利用有机异质结电接触材料作缓冲层改善了OTFTs的接触性质，尤其是N型材料F16CuPc的迁移率比目前所报道的最好结果高出一倍以上。对有机异质结电接触材料在OTFTs中改善机制进行了探讨，通过研究器件性质对器件性质的优化提出了建设性的意见。
综上所述，本论文对金属电极—有机层间的接触性质进行了深入的研究。在此基础上，提出了采用的有机异质结作电接触材料改进有机晶体管的M-S接触性质，提高器件的性能。当前的研究为提高有机电子器件的M-S接触性质提供了新思路，促进了有机电子学的发展。