单壁碳和氮化硼纳米管声子谱和电子结构的计算

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纳米管是一种新型的纳米材料,由于其独特的结构和众多新颖的物理性能,如独特的金属或半导体导电性、极高的机械强度、储氢能力、吸附能力和较强的微波吸收能力等,90年代初一经发现立即受到物理、化学和材料科学界以及高新技术产业部门的极大重视。 本文的主要内容包括两个部分: 一是用卷曲法对单壁碳纳米管声子谱进行计算和分析。 对单壁碳纳米管声子谱中Г点E1和E2模进行了分析,描述了E1、E2振动模式以及它们的频率与手性和管径的关系。得出管径在0.8~2.6nm范围E1、E2模频率与管子的手性关系不算大(在实验测量的精度内),而频率在400~900cm-1间的非简并本征频率对应的两个B1和一个B2模与手性明显相关。 二是用crystal03软件包对单壁碳和氮化硼纳米管的电子结构进行计算。 首先计算了单壁碳和氮化硼(n,0)纳米管的能带结构,得出单壁碳纳米管中约有1/3的(n,0)管呈现金属性,另外2/3的(n,0)管为带隙约1eV的半导体管,而所有的单壁氮化硼(n,0)管均为带隙约5eV的绝缘体管;然后计算了一些(n,0)管在轴向形变下电子结构的变化,得出单壁碳(n,0)管的带隙随形变呈z字形变化,其中伴随有半导体和导体之间的相互转化,而单壁氮化硼(n,0)管的带隙随形变的变化较小,并没有像碳管那样呈现半导体和导体之间的相互转化。
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