【摘 要】
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CdZnTe(CZT)核辐射探测器具有较高的探测效率和较好的能量分辨率,广泛应用于x、γ射线探测和成像装置,在国家安全防务、核探测、核控制、天体物理以及医学等领域具有巨大的应
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CdZnTe(CZT)核辐射探测器具有较高的探测效率和较好的能量分辨率,广泛应用于x、γ射线探测和成像装置,在国家安全防务、核探测、核控制、天体物理以及医学等领域具有巨大的应用前景.探测器的性能关键取决于探测器的制备工艺,为此本论文针对CZT核辐射探测器制备的关键工艺进行了研究,分析了CZT探测器的表面腐蚀、表面钝化、电极接触等一系列器件工艺条件,并对CZT共面栅探测器电极进行了优化设计.主要研究内容与结果如下:1、采用溴甲醇(BM)和溴乳酸乙二醇溶液(LB)对CZT晶体进行了表面腐蚀研究.AES俄歇电子能谱分析表明,腐蚀液中Br的加入会使得CZT样品表面富Te,从热力学角度对腐蚀机理进行了探讨.2、采用KOH-KCl溶液、H<,2>O<,2>溶液和NH<,4>F/H<,2>O<,2>混合溶液等三种湿法化学钝化工艺对CZT器件表面钝化进行了研究.3、首次提出了采用RFCVD法在CZT器件表面沉积类金刚石(DLC)薄膜进行物理钝化的研究思想.4、对CZT探测器的电极接触工艺进行了系统研究.5、讨论了接触电极的失效机理,采用有限元方法模拟研究接触电极形状、厚度、材料和沉积温度对接触界面热应力的影响.6、采用有限元分析方法模拟分析了三种栅极布局的矩形共面栅探测器模型.
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