本文利用X-射线衍射技术，结合材料电学性质测试、深能级热激电流谱和正电子寿命谱等方法，研究了InP单晶、InAs单晶和GaSb单晶材料的缺陷和晶格完整性。研究的样品包括：不同生长条件下(常规LEC法、炉内磷注入合成LEC法和高温退火处理)制备的InP单晶材料；不同掺杂(n型、p型和半绝缘)InP单晶材料；磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂InP；n型、p型和非掺InAs单晶和非掺GaSb单晶。获得结果主要有以下几个方面：　　 1.用常规LEC法生长的InP单晶具有低的位错密度和良好的晶格完整性，主要由于其生长条件较为理想(较低的温度梯度和热应力、化学配比、生长速度合适等)。而采用炉内磷注入合成LEC法生长的InP单晶位错密度高、含有大量位错团，晶格存在小角晶界、镶嵌结构等缺陷，完整性很差。主要原因是该方法为兼顾磷注入合成，存在一些明显的缺点，如生长温度梯度大、难以精确控制化学配比、生长速度快等，制约着高质量InP单晶的生长。　　 2.尽管n型和p型InP单晶的完整性与S、Zn具有的杂质效应有关，但通过控制生长条件和化学配比，同样可以获得晶格完整性极好的高质量掺铁半绝缘InP单晶，其电学性能优异。　　 3.高温磷气氛下退火后InP单晶中产生大量铟空位缺陷，降低了材料的晶体完整性。在磷化铁气氛下退火后，能有效抑制铟空位缺陷，改善InP单晶的晶格完整性。利用这种方法可以获得高质量的半绝缘InP单晶材料。　　 4.n型和p型InAs单晶的完整性受到温度梯度、化学配比等影响，富砷条件下生长的InAs单晶的缺陷较多，晶体的完整性差，容易碎裂。　　 5.GaSb单晶生长过程中容易产生过冷造成的枝蔓状位错聚集分布，严重破坏了晶体的完整性。通过控制热场和生长条件可避免这类缺陷的产生。