信息通信技术的蓬勃发展使整个社会进入了智能时代,智能设备与社会紧密的联系在了一起。智能设备的普及以及优化在给人们带来更加优秀的用户体验的同时也对智能设备中的硬件要求变得越来越高。存储器作为智能设备中极其重要的组成部分,对于其性能的要求也就变得越来越高。动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）作为应用最为广泛的一类存储器,其在整个存储器市场的占有份额一直居高不下,伴随着工艺技术的不断发展、工艺节点不断的推进,灵敏放大器（Sense Amplifier,SA）作为DRAM中极其重要的一环,其基本组成部分晶体管的阈值电压失配问题也变得越来大,而随着阈值电压失配问题的不断增大,灵敏放大器对数据读出的可靠性也随之变得越来越低。本文为了提高SA读出数据的可靠性,提出了一种具有对称结构的DRAM灵敏放大器电路结构。本文的主要工作内容如下:本文首先介绍了DRAM的组成结构及其读、写的工作原理,其中针对读操作进行了重点介绍,然后介绍了传统DRAM灵敏放大器的工作过程。传统SA主要由两个交叉耦合相连的反相器对构成,通过两端位线的差分输入信号来将一端位线拉至高电平,另一端位线拉至低电平,以此完成读“1”或读“0”的操作。由于SA的主体结构是两个反相器,因此通过分析在晶体管的阈值电压发生不同变化时对反相器的影响来引出失调电压所产生的原因以及给灵敏放大器所带来的影响。紧接着介绍了三种目前已有的对失调电压进行补偿的技术,并且分析总结了三种技术的优缺点。最后本文针对不同灵敏放大器的失调补偿技术进行了优化,提出了一种对称翻转点补偿灵敏放大器（Symmetric Flip Point Compensation Sense Amplifier,SFPCSA）。本文所提出的灵敏放大器根据输入的位线地址来确定读取位线和参考位线,在失调补偿阶段将读取位线电压补偿到反相器的翻转点,通过电流镜调节参考位线电压,在反向放大阶段通过反相器翻转点的高增益来改变参考位线电压,进一步提高了感测裕度,从而大大降低了失调电压。在65nm CMOS工艺下,通过仿真分析可以得出,SFPCSA能够对SA中的失调电压进行有效补偿,大大提高SA读数据的可靠性。