金属卤化铅钙钛矿由于其载流子扩散长度长、缺陷容忍度高、带隙可调以及可溶液加工等特点,成为一种优异的光电半导体材料。它们在太阳能电池、发光二极管、光电探测器以及激光器等领域有着广泛的应用前景。其发光色纯度高、发光波长可调,在低成本高清的显示应用上前景广阔。目前基于金属卤化铅钙钛矿制备的发光二极管存在稳定性普遍较差的瓶颈,本论文旨在寻找稳定可靠的无机传输材料的基础上,调节器件的能带结构,制备可靠且性能优异的钙钛矿发光二极管。本论文的研究工作主要有:1.通过往前驱体溶液中添加PEO、PVP来提高CsPbBr3全无机钙钛矿薄膜的结晶性和致密性,通过添加MABr提高前驱体溶解度和钝化钙钛矿的晶界。研究表明,添加PEO和PVP能够减小发光二极管的漏电电流,添加MABr能够提升CsPbBr3薄膜的荧光强度。基于此,制备出了较高亮度和稳定性的无传输层金属卤化铅钙钛矿发光二极管。2.基于Ⅲ-Ⅴ族氮化物是一种带隙宽范围内可调的无机半导体材料,采用原子层沉积技术在金属卤化铅钙钛矿表面沉积氮化物薄膜,制备出氮化物-金属卤化铅钙钛矿的异质结。利用X射线光电子能谱表征异质结的界面能带排列结构,并通过测试光谱的强度证实了不同异质结对光子的抽取以及限制效果。在能带排列为Ⅲ型的异质结条件下,氮化物对金属卤化铅钙钛矿中的载流子限制效果显著,光谱强度明显增强。证明了Ⅲ-Ⅴ族氮化物具有用作全无机钙钛矿LED传输层的巨大潜力。3.通过掺入Mg成分提高NiO和ZnO的光学带隙,从而调节传输层的能带位置,有助于提升钙钛矿发光二级管电光转换效率。采用氢氟醚作为Mg:ZnO纳米晶的分散剂,研究证明可应用于CsPbBr3多晶薄膜和CsPbBr3量子点薄膜器件的制备。实现了空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层都是无机材料的全溶液法制备。