一维纳米结构具有表面效应,量子尺寸限域效应和宏观量子隧道效应等特点,表现出独特的光学、电学、化学、热学和磁学等的性质。并且,一维纳米结构也有众多新颖的效应被逐步发现并研究,例如光开关效应、纳米线栅偏振效应、场发射效应、热电效应、压电效应、储氢特性和敏感特性等。随着研究深入,对一维纳米结构的形貌尺寸控制和成分组成控制的方法越来越先进,特殊结构也带来相应的特殊功能。这种有针对性的可控合成和操纵,不再将研究纳米技术之初新颖有趣的外观作为动力,越来越注重精细的、可量化的和可操控的研究,以应对更苛刻和独特的器件要求。本论文对常规化学气相沉积法进行简单改造,制备多种金属氧化物特殊结构的纳米线,对其光致发光性质、润湿性和有限元仿真等进行研究,制备了新颖和高性能的电子和光电子器件。主要涵盖的工作有：在高温水平管式炉中进行反应,以低熔点的金属Bi作为辅助,制备大量的Ga2O3纳米环。当升温过程为两步升温法时得到单层纳米环；当升温过程为快速升温法时得到双层纳米环。这种方法还被扩展用于合成SnO2和In2O3纳米环。研究了Ga2O3纳米环的光致发光特性,得到572nm的发光峰。最后制备了纳米环晶体管器件,进行简单的电学性质测试。由于这种结构的结晶性并不好,栅极调控很不理想,阈值电压较大为84V。使用激光烧蚀化学气相沉积法,在大水平石英管内放置一段小石英管。当小石英管为单端封闭时,得到In2O3纳米螺旋结构；当小石英管两端均开放时,得到In2O3多重弯折纳米线。这种特殊结构接触角达到132.7°在紫外光照射一定时间后,变为超亲水性。黑暗中处理一定时间又转变为疏水性。基于这两种特殊结构的晶体管为n型导电特性。多重弯折结构和螺旋结构的电子迁移率分别为243cm2/(V-s)和207cm2/(V·s)。使用激光烧蚀化学气相沉积法,得到In2O3的多级结构,在较粗的纳米线主干上有大量较细的纳米线分支。接触角高达143.7°，也表现出光致超亲水性和可逆转变的特点。利用这种宽带隙材料在ITO基底上制备了透明薄膜晶体管,光学透明度高达80%,具有良好的栅极电压控制性和电传输性能。使用常见的化学气相沉积法,得到两种不同类型的In2O3梯子状纳米线,叶脉状和普通梯子状,类似的成功地制备SnO2、ZnO和Ga2O3梯状纳米线。为便于研究,在Si/SiO2基底上制备SnO2器件。晶体管为耗尽型,且载流子浓度高出四个数量级。有平面简谐波入射这种结构中既有F-P干涉模式,又有回音廊干涉模式,增强了对于深紫外光的吸收效率,带来更高的光电转换率。