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铅的硫属化合物(PbS、PbSe和PbTe)是一种窄带隙半导体,广泛应用于红外探测器、二极管激光器以及热电器件等领域。PbTe为一种具有岩盐结构的窄带隙半导体,其带隙宽度为0.31 eV。PbTe的量子效率高,在工作温度范围内比较稳定,并且可以通过改变合金比例来调整峰值波长,使其可以应用于红外光电器件(如红外探测器和中红外量子阱激光器二极管等)。同时其折射率高达5.5,透明波段宽,因而在红外光学薄膜中是重要的高折射率材料。由于PbTe具有很高的热电性能系数,比较高的熔点,化学稳定性好,以及蒸汽压比较低,在中温区(500-900 K)热电材料中是效率最高的。碲化铅在航空航天、环保、医疗、激光技术和太阳能技术等多个高技术领域都有重要应用,作为温差致冷材料能实现小范围无污染致冷,已在高档豪华轿车上获得了实际应用。尤其是随着量子结构太阳能电池研究的深入,PbTe量子点有望极大地提高太阳能电池的转化效率。PbTe薄膜的制备方法有很多种,主要有分子束外延(MBE)、真空蒸发、电化学沉积、脉冲激光沉积(PLD)、磁控溅射法等。在这些方法中磁控溅射法具有高速、低温、成本较低、能实现大面积成膜等优点,其膜厚的可控性和重复性较好,是经常使用的薄膜制备方法之一。本论文介绍了采用射频磁控溅射法制备PbTe纳米薄膜。初步研究了不同的工艺参数对PbTe纳米薄膜结构的影响。所取得的主要研究结果为:1.利用X射线衍射法对射频磁控溅射制备PbTe薄膜进行了分析。得到的主要结论有:(1)在衬底未加热时,溅射制备的薄膜都表现出<100>方向的择优取向性。并且在溅射功率为30W和溅射时间为10min时得到的薄膜的择优取向性最好,晶粒最大。(2)衬底温度对薄膜的结晶性能影响最大。在衬底未加热,衬底温度为100和400℃时,薄膜具有明显的择优取向性,并且在未加衬底温度时薄膜的择优取向性最好。在200℃和300℃时,薄膜没有表现出明显的择优取向性。(3)退火处理可以改善薄膜的结晶性能。从室温到500℃的范围里,退火温度越高,薄膜的<100>织构增强,晶粒增大。2.用X射线衍射和原子力显微镜研究了退火时间和衬底温度对溅射制备PbTe薄膜微观结构的影响。退火时间与衬底温度对磁控溅射制备PbTe薄膜的结构和表面形貌有很大的影响。在400℃退火温度下,退火时间为15 min时得到的薄膜表面最平整。在30W溅射功率下制备PbTe薄膜,在衬底温度为100℃时,薄膜表面最平整,并且XRD分析得到,在未加衬底温度时制备的薄膜的择优取向性最好。3.用射频磁控溅射法和真空退火法制备了PbTe纳米颗粒膜。