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本文共分四章。第一章主要从理论方面介绍了半导体超晶格中的三种电输运方式：微带输运，Wannier-Stark跃迁及顺序隧穿。其中，对我们要在第二章中研究的“顺序隧穿”的相关内容作了重点介绍。
第二章主要介绍我们所研究的顺序隧穿的模型。包括两部分，第一部分介绍一个阱内顺序隧穿的模型及电输运的情况；第二部分介绍两个阱内顺序隧穿的模型及电输运的情况。
第三章是在第二章模型的基础上所得到的数值计算结果及讨论。主要计算方法是由偏压下单阱的能带结构出发，将我们的模型数学化；然后找出最优算法，编写程序，模拟出单阱内的Ⅰ-Ⅴ曲线；进而用同样的方法研究两个阱中电流及电压的行为。
第四章是对以上工作的总结和展望。