【摘 要】
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随着微电子工艺技术水平的不断提高,嵌入式SRAM呈现出更高集成度、更快速及更低功耗的发展趋势。近年来,集成SRAM的各种系统芯片己屡见不鲜,它们在改善系统性能、提高芯片可
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随着微电子工艺技术水平的不断提高,嵌入式SRAM呈现出更高集成度、更快速及更低功耗的发展趋势。近年来,集成SRAM的各种系统芯片己屡见不鲜,它们在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本与功耗等方面都起到了积极的作用。本文主要针对嵌入式同步双口512X28bit静态存储器的设计进行了详细的阐述。文章结合存储单元静态噪声容限(SNM)及软误差率(SER)的分析,对静态八管单元进行了优化设计,在保证缩小芯片面积(存储单元的尺寸为:5.87×6.54um2)的同时提高了存储单元的工作稳定性(SNM8T=530mv)。设计存储器每一部分电路的时候,都仔细考虑了如何降低芯片功耗和提高工作速度。如用三级灵敏放大器来提高数据读出的速度,读写速度可达到2.96ns。为了减小阵列中存储单元间的串扰问题,提高芯片的可靠性,在存储阵列版图设计时,采用了字线“错序译码”结构和位线“间隔译码”结构。设计中还采用了仲裁逻辑电路判断双口的存储优先权,芯片采用0.18um CMOS硅栅双阱制造工艺,芯片尺寸为:746.36×966.74um2。SRAM的字长为28bit。
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