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纳米材料是近代发展起来的一种新型多功能材料，其特殊的效应使它在磁性、催化、光吸收和热阻等方面比普通材料显示出特异性能。纳米SnO2是一种典型的n型半导体材料，具有比表面大、活性高、熔点低、导热性好等特点，在气敏、湿敏、光学技术、导电材料等方面有着广泛的应用，同时它还是一种重要的化学工业材料。 以廉价的无机盐SnCl4·5H2O为原料，采用溶胶．凝胶法制备出粒度均匀的超细SnO2粉体，该工艺具有设备简单，过程易控，成本低，收率高等优点。考察了制备工艺过程中原料浓度、反应温度、反应终点pH值、干燥脱水方式、焙烧温度等因素对纳米SnO2粉体粒径的影响。实验过程中以TG-DTA热分析、红外光谱等测试手段，分析前驱体氢氧化物受热行为，前驱体表面基团及过程防团聚机理等。利用透射电子显微镜、X-射线衍射仪、比表面测试仪分别对纳米粒子的形貌与粒径分布、晶相组成、比表面积进行了表征与测定。 针对液相法制备纳米二氧化锡颗粒团聚问题，采取了相应的防团聚措施，在后续脱水过程中采用醇洗和共沸蒸馏两种方法，建立了共沸蒸馏装置，结果表明该方法防团聚效果较好。对两种脱水方法的防团聚机理进行了初步探讨。对前驱体IR谱线分析表明：共沸蒸馏脱水时产生了有机基团，该法可以起到空间位阻效应而达到防团聚目的。 结果表明：当SnCl4反应浓度为0.2mol／L，氨水浓度控制为8～10％，终点pH值控制为2.5，反应温度65℃，焙烧温度500℃时，采用无水乙醇置换自由水时可以制得比表面积为28.72m2／g的纳米粉体，采用共沸蒸馏方法脱除自由水，可以制备出比表面积为42.59m2／g的纳米粉体。XRD分析结果表明：制得产品为四方晶型纯相SnO2纳米粉体。运用谢乐公式计算知，共沸蒸馏脱水制备出的粉体晶粒尺寸为7.2nm。TEM图片表明所得粉体近似球状，电子衍射图呈环状，均能指标化为SnO2衍射。 利用制备纳米二氧化锡的装置和工艺方法，初步研究了纳米氧化铟锡（ITO）复合材料的制备，对制得的粉体进行了比表面积测试和X-射线衍射分析，实验结果表明工艺条件为：In3+浓度0.2mol／L，氨水浓度8～10％，反应温度45℃，终点pH值7.0，前驱体110℃烘干，700℃焙烧时可以制得比表面积为18.66m2／g的纳米ITO粉体，XRD表征说明制得的ITO粉体是铟锡固熔体，晶粒尺寸为21.7nm。