【摘 要】
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研究了不同退火温度镍硅化物半导体结构的基本电学特性.在低温度退火（
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研究了不同退火温度镍硅化物半导体结构的基本电学特性.在低温度退火（<500℃）的镍硅化物中,DLTS测试发现大量杂质引起的深能级缺陷,进一步的研究表明这些深能级是退火时随镍扩散进入硅材料内部的.对样品的C-V和I-V测试发现,各种退火温度的样品都能形成遵循热电子发射理论的肖特基势垒.对低退火温度样品,由于存在较高浓度的深能级缺陷,使得反向电流明显增大.对镍硅化物与硅的界面特性进行研究,通过测量从78-300K的温度范围内的I-V特性,发现镍硅化物与硅的肖特基势垒接触并不是均匀分布,结果表明镍硅化合物中的不均匀肖特基势垒分布遵循高斯分布.同时还研究了这种肖特基势垒的不均匀性对镍硅化物电学性质的影响.研究了Ni/Pt双层膜与硅固相反应生成的Ni（Pt）Si膜的热稳定性及其他电学特性,发现含有Pt的NiSi膜的物相稳定温度可以达到850℃,比不含Pt的膜提高了100℃以上.结合样品肖特基接触的正反向特性电学测试结果,发现这种硅化物合适的退火温度为400-800℃,此时形成的膜具有较好的接触特性和较低的电阻率.
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