为了拓展SiC材料在非紫外光电领域的应用，同时实现SiC大功率电力电子器件的非紫外光光控，本课题组首次提出了在SiC衬底上淀积对非紫外光有明显响应的Si薄膜，制备Si/SiC异质结。本文系统介绍了用低压化学气相淀积(LPCVD)法在SiC的C面制备Si/SiC异质结的初步工作，以及用XRD、SEM、TEM等分析测试方法对在不同工艺条件下制备的实验样品进行特性表征，在此基础上研究了生长温度、生长时间、生长压力和硅烷流量对Si/SiC异质结品质的影响。得出了以下主要结论:　　1.在825℃～1000℃的生长温度区间内，在6H-SiC的C面生长的Si薄膜单一择优于<111>晶向生长。　　2.在此择优生长温度区间内，随着温度的升高，在6H-SiC的C面生长的Si薄膜的晶粒尺寸逐渐增大。　　3.生长时间，生长压力，硅烷流量对在6H-SiC的C面生长的Si薄膜的结晶取向影响较小。