PZN-PZT压电陶瓷的低温烧结研究

来源 :北京工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kanhyou2009
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PZN-PZT体系以其具有性能稳定、机电性能高、价格低廉等优点,可以广泛应用于电子元器件中,是当前压电材料领域的研究热点之一。然而,对于PZT基压电陶瓷来说,一个最大的问题就是烧结温度高于1200℃,烧结温度过高存在三方面不利:第一,PbO挥发严重,使得实际组分与设计组分偏离,污染环境;第二,实际元件需要用昂贵的金属Pd做内电极,增加成本;第三,在多层器件中要求内电极和陶瓷共烧,会发生内电极层渗入陶瓷层,降低可靠性。因此,低温烧结是解决以上问题的惟一途径。 本文首先研究了烧结温度对陶瓷烧结过程、微观结构和电学性能的影响。研究发现,0.5PZN-0.5PZT体系在900℃烧结时,密度较低,弥散性很强,电性能较差,材料主要以三方相为主;随着烧结温度的提高,晶粒不断长大、致密度得到提高,压电性能得到优化,导致无序.有序转变和三方-四方相变;当烧结温度为1150℃时,陶瓷的密度达到最大ρ=8.13g/cm<3>,表征有序度的弥散因子y=1.71,此时的分子式可以写为:0.5[Pb(Zn<,2/3>Nb<,1/3>)<,1/2>Nb<,1/2>O<,3>]-0.5[Pb(Zr<,0.94>Ti<,0.06>)<,1/2>Ti<,1/2>O<,3>],其它性能为:ε=12000,d<,33>=430 pC/N,k<,p>=0.67,T<,c>=246℃;但是继续提高烧结温度后,由于PbO挥发严重,密度下降,并出现焦绿石相,电学性能严重恶化。 另外,本文着重研究了添加烧结助剂的低温烧结实验。为了实现低温烧结,采用具有较低熔点的Li<,2>CO<,3>作为低温烧结助剂。研究表明,适量Li<,2>CO<,3>的加入,在烧结前期,形成过渡液相,促进烧结;在烧结后期,Li<+>进入B位,弥散性增强。当加入0.5 wt.%Li<,2>CO<,3>时,可把0.5PZN-0.5PZT体系的烧结温度从1150℃降低到950℃,陶瓷密度高达ρ=8.06g/cm<3>,并仍保持良好的性能:ε<,r>=8805,d<,33>=281 pC/N,k<,p>=0.50,T<,C>=244℃所获得的具有良好压电性能的陶瓷材料在致动器和超声马达上具有较好的应用前景。
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