类金刚石薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的化学稳定性、红外特性及场发射性能等物理和化学性能，因而在耐磨保护膜、光学元件、微电子产品等很多方面得到了广泛应用。制备类金刚石(DLC)薄膜的方法有很多，包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)，不同方法制备的DLC膜性能和优缺点不同。本文系统地研究了等离子体化学气相沉积DLC膜的性能及其与工艺参数的关系，通过分析CH4和C2H2正交实验，最终得到一组最佳工艺参数，并且还研究了掺氮DLC膜的性能。 采用端部霍尔离子源沉积类金刚石薄膜是近年来新出现的一种方法，本文研究了我院自行研制的端部霍尔离子源的性能以及采用该离子源制备类金刚石薄膜的性能及工艺参数的影响。 实验结果表明，端部霍尔离子源在较低的电压即可起辉光，可在较大电流范围提供稳定的低能量离子束流。随着离子源灯丝电流的升高，离子源放电电压下降。 通过正交实验结果和分析得到一组光学性能最佳的工艺参数：放电电流1.5A、烘烤温度120℃、CH4流量60sccm、靶基距250mm，从实验中可以知道CH4流量和放电电流对薄膜的光学性能影响较为显著。通过CH4和C2H2两种不同工作气体的实验比较表明CH4镀制DLC膜的光学性能优于C2H2镀制的，但C2H2的沉积速率更快，这主要是氢在化学气相沉积过程中起着重要的作用，氢的存在，有利于稳定金刚石的sp3键，不利于形成石墨的sp2键，这也导致CH4镀制的DLC膜具有更高的硬度和附着力。从Raman光谱分析可证明CH4镀制DLC膜的sp3键高于C2H2镀制的。 从AFM测试结果表明：用End-Hall离子源镀制薄膜的颗粒明显比用脉冲电弧离子源镀制的要小，而且整体更均匀。薄膜的均匀性，没有明显的大颗粒也是描述薄膜形貌的参数之一，所以用End-Hall离子源制备类金刚石薄膜是比较成功的。 掺氮实验证明：沉积过程中掺入一定的氮可以提高薄膜的附着力，但是由于掺入氮元素，降低了薄膜中sp3键的含量，因此光学性能也降低。