目前研究较多的光催化材料多是以二氧化钛为主的氧化物半导体,这些材料的禁带宽度较大,对太阳光的利用率较低。四元硫化物半导体光催化材料--铜锌锡硫（Cu₂ZnSnS₄或CZTS）是一种对可见光响应的四元半导体光催化材料,禁带宽度约为1.5 eV。实验旨在制备出一种成本较低,光催化性能较好的Cu₂ZnSnS₄光催化材料,并通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和X射线光电子能谱仪等对所制备材料的物相结构、微观形貌及元素价态进行表征。主要内容如下:采用一步水热法,通过控制反应条件制备光催化性能较好的Cu₂ZnSnS₄光催化材料。结果表明:在反应温度T=180℃、反应时间t=8 h、溶液pH=2.5、原料Cu:（Zn+Sn）=1.0时所制备的材料,经过60 min的LED光照射后,降解罗丹明B的效率约为99%。采用两步水热法通过控制Cu₂ZnSnS₄的加入量制备Cu₂ZnSnS₄/CdS复合光催化材料。利用在这两种物质的界面处形成p-n型的异质结构,可以在一定程度上减少光生电子-空穴的复合效率,提高材料的光催化活性。实验通过光催化水解产氢的性能表征材料的光催化效果。结果表明:当CZTS加入量为0.3 g时（Cu₂ZnSnS₄与CdS的质量比例为0.2967）,复合材料的产氢效率约为296.17μmol·g^-1·h^-1,比单纯的Cu₂ZnSnS₄产氢效率提高142倍(2.08μmol·g^-1·h^-1)。为提高材料的回收利用率,实验采用超声喷雾热解法制备Cu₂ZnSnS₄薄膜光催化材料,在底板温度为400℃,溶液浓度为2.5 mmol/L,溶液流速为2.5 mL/min下得到了光催化水解产氢效率约为68.67μmol·g^-1·h^-1的薄膜,三次循环使用后材料的损失较少,约为8%。这对CZTS在光催化领域的应用起到了一定的参考价值。图40幅;表3个;参68篇。