大功率脉冲发生技术是在尖端武器制造、工业生产、环境保护等多个方面有广泛应用的一门技术,同时也是许多高新技术领域的基础技术。船舶导航设备中的海航脉冲发生器也同样应用了脉冲发生技术。海航脉冲发生器的性能直接决定导航设备的可靠性、精度、安全性。然而目前,海航脉冲发生器仍然以氢闸流管作为主开关器件。众所周知,氢闸流管作为半控型器件,其导通关断特性非常不理想。理想的脉冲发生器的波形是上升沿时间与下降沿时间都为零的矩形脉冲,而实际中,当然不存在这样的脉冲,因而人们在设计脉冲发生器时千方百计的减小脉冲上升沿与下降沿的时间。针对氢闸流管产生的脉冲上升沿与下降沿时间过长的状况,本课题在研究现有脉冲发生技术的基础上,采用了开通与关断速度极快的全控型器件MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)替代半控型器件氢闸流管作为脉冲产生的开关,以获得的脉冲波形更加接近理想波形。本文主要研究使用MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)作为海航脉冲发生器主开关时,该电路主回路及驱动电路设计、参数选取方法。同时对相关辅助电路进行设计选型,并对MOSFET串并联等关键问题进行了分析。使用多个MOSFET进行串并联以提高总的脉冲电流和电压,降低单个MOSFET的通过电流和承压,从而提高系统容量和可靠性。本文对多个MOSFET在串并联时电压电流的不均衡问题进行了分析,并给出相应的解决方案。文中还进一步通过搭建实验平台,将测试数据与国际主流产品进行对比,验证该方案的实际性能。