伴随着移动通信的飞速发展,相控阵技术凭借灵活快速的波束成形和波束扫描等特点愈发热门,而射频前端芯片作为相控阵中不可缺少的关键模块有着重要的研究意义。同时,CMOS工艺凭借着低成本,高集成度等优点在微波毫米波集成电路领域备受关注,因此本文基于CMOS工艺针对射频前端芯片中的幅频电路进行了深入研究。文中先是对衰减器和混频器的相关知识做了介绍与分析,包括各自模块的基本原理,性能参数以及基本结构。之后根据前文对于基本结构的介绍,针对衰减器的插入损耗、线性度、附加相移以及混频器的增益与线性度提出了相应的优化结构,为后文具体的衰减器与混频器的设计打下了理论基础。通过之前的理论知识累积,本文先是针对应用于下一代移动通信系统的多通道相控阵中衰减器模块进行了研究与设计。为优化开关内嵌式衰减器固有的附加相移,引入了并联支路的旁路电容并通过简化的T型结构减小衰减器的插入损耗,最后在65nm CMOS工艺下实现了一款六位无源衰减器,其中附加相移小于3°,衰减误差小于0.3dB,具有低相移高精度的优点,验证了所采用衰减器结构的合理性。最后,在应用于Ka波段的收发机射频前端芯片中同样基于65nm CMOS工艺设计了一款高线性度高隔离度的宽带下混频器。为满足系统对于线性度与宽带的要求,采用了环形无源混频器结构作为混频器核心,在第二级通过共源级buffer进行增益补偿,最后一级通过有源巴伦输出节省芯片面积降低成本。经过流片测试的混频器芯片能在射频频率为27GHz,本振频率为21GHz时,电压转换增益（VCG）达到-3.5dB,IP1dB为-2dBm,3dB中频带宽覆盖整个中频频带,并且LO-RF和LO-IF的隔离度都大于45dB。