【摘 要】
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采用TSMC RF CMOS 0.13μm工艺设计了一款共源共栅结构的低噪声放大器（Low Noise Amplifier,LNA）,该放大器应用于移动通信主流标准TD-SCDMA 2 GHz中。先初步计算电路参数,后经A
【机 构】
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西安邮电大学电子工程学院,延安大学物理学与电子信息学院
【基金项目】
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国家自然科学基金-地区基金(61661049)
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采用TSMC RF CMOS 0.13μm工艺设计了一款共源共栅结构的低噪声放大器（Low Noise Amplifier,LNA）,该放大器应用于移动通信主流标准TD-SCDMA 2 GHz中。先初步计算电路参数,后经ADS调谐折中选择电路参数。利用安捷伦公司（Agilent）射频EDA平台ADS2009对电路进行仿真。结果表明,该LNA在1.2 V电源电压下,功耗仅为3 mW,正向功率增益为18.96 dB,输入输出匹配均小于-30 dB,噪声系数为1.15 dB,且输入1 dB压缩点为-9 dBm,
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