【摘 要】
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半导体光催化技术是一种绿色、高效的技术,可以应用于去除水体中残留的有机污染物。在各种半导体催化剂中,MoS2由于其突出的热稳定性以及化学稳定性已被广泛应用于光催化等领域,但是仍有一些缺点影响其光催化效率。为了提高光催化效率,本文以助催化剂MoS2为主体材料,通过与其他光催化材料复合对其进行功能化改性,实现MoS2系列材料对有机染料的高效去除。并通过X射线衍射（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,紫
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半导体光催化技术是一种绿色、高效的技术,可以应用于去除水体中残留的有机污染物。在各种半导体催化剂中,MoS2由于其突出的热稳定性以及化学稳定性已被广泛应用于光催化等领域,但是仍有一些缺点影响其光催化效率。为了提高光催化效率,本文以助催化剂MoS2为主体材料,通过与其他光催化材料复合对其进行功能化改性,实现MoS2系列材料对有机染料的高效去除。并通过X射线衍射（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,紫外漫反射光谱（DRS）等方法研究材料结构及性能。研究内容如下:（1）以水热法合成的助催化剂MoS2为前驱体,通过简单的氧化还原法将吸附在表面的Cu2+氧化成Cu2O,制备新型纳米复合材料Cu2O/MoS2,对助催化剂MoS2的掺杂量进行考察。结果表明,当m（MoS2）:m（Cu2O）=17.1%时可以在30min内降解甲基橙（MO）（降解率为91%）,其伪一级动力学常数是纯Cu2O的8.76倍。该材料具有良好的稳定性,在循环使用5次后,降解率为40%。催化体系中产生的·OH,h+,·O2-在MO的降解中起主要作用。（2）通过热剥落得到比表面积为194.30m~2/g的g-C3N4（CNN）,将其与水热法制备的MoS2复合,制备g-C3N4/MoS2（CNNM）复合光催化剂。优化MoS2掺杂量,探究不同比例CNNM在可见光下的降解性能,对染料罗丹明B（Rh B）进行光催化降解。在可见光照射1h后,CNN可降解69.4%的Rh B,当m（MoS2）:m（CNN）=1%时降解率为88%。同时利用过硫酸氢盐（PMS）与光催化协同降解染料酸性橙（AO7）,在5分钟内可以降解90%的AO7。通过机理实验提出h+,·O2-和~1O2是降解AO7过程中的主要活性物质。（3）制备磷掺杂和高温热剥落作用相结合的g-C3N4（PCNB）,将其与助催化剂MoS2复合。对罗丹明B（Rh B）的光催化实验表明:当m（MoS2）:m（PCNB）=5%时具有最佳光催化活性,50min内降解率为98.3%（伪一级动力学常数是PCNB的2.87倍,CN的23倍）,且材料具有良好的重复利用性,循环使用5次后,降解率可达85%。最后结合自由基猝灭实验和禁带宽度提出一种可能的催化机理。
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