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本文主要介绍了如下三个方面的内容:1.利用导纳谱研究了锗硅量子阱的掺杂效应。导纳谱测出的不同掺杂浓度锗硅量子阱重空穴基态能级的激活能的结果表明，对于相同组份的锗硅量子阱，阱深随着掺杂浓度的增加而变大，阱内重空穴基态能级的激活能也随之增加。2.在所加直流偏压小于0.5伏时，所测得的重掺杂量子阱内某激发态能级的激活能随着偏压的增加而变小。到直流偏压增加到0.5伏以后，激活能并没有随之继续变小，而是基本保持不变。3.利用导纳谱研究了锗硅量子阱的热稳定性。测量结果表明，退火后的重掺杂量子阱基态能级的激活能变大，而未掺杂的量子阱基态能级的激活能大小基本保持不变。通过对比掺杂和未掺杂量子阱内基态能级的激活能的变化情况，本文认为阱内部分掺杂的硼原子可能处于间隙位置而没有激活，经过退火以后进入替代位置被激活，这样阱的深度也就会随着变大，从而使得阱内子能级的激活能变大。对未退火和退火样品进行了C-V测量，其结果也进一步表明经过高温退火以后阱内的部分载流子被激活。