MEMS谐振器的优点是超高的品质因数。一种新型的压电传导单晶硅MEMS谐振器的特点在于压电层驱动和单晶硅传导。由于单晶硅具有较大的能量密度,相比其他种类的谐振器具有更高的品质因数(Q值)同时也存在若干问题需要深入探讨和研究。本文完成了谐振频率在10MHz的该类谐振器器件的理论推导和设计,同时分析了该类谐振器的工作特性和器件特点,并将谐振器器件从结构到工艺到测试的所有芯片制作技巧进行了详尽的论述。其中还创新性的改进了谐振器锚点的机械结构以进一步减少锚点损耗。首先的问题是如何有效的进行单晶硅传导压电谐振器设计。谐振器设计的仿真和分析需要一个完善的理论模型。本文首先完成了谐振器设计过程中等效模型的建立。在理论模型的基础上,拓展了谐振器值得参考的指标如灵敏度等,并且用仿真软件ADS(Automation Device Specification)进一步验证了谐振器主体设计结构正常工作的可行性,为接下来的工作奠定了基础。为了解决如何进一步提高谐振器性能的问题。通过分析,锚点损耗为谐振能量传播中最主要的损耗。本文使用COMSOL Multiphysics多物理场仿真分别对支撑结构和锚点结构进行了仿真验证。进行了锚点处结构上的创新,添加了深槽反射镜结构(Reflector)。并对反射镜结构的各部分设计参数产生的影响进行了大胆预测和严谨论证,进一步验证了锚点损耗的来源和其耗散方式。在器件整体仿真设计完成的基础上,进行了工艺制作的细节设计和论证。最后在整体到局部器件都成功制作的前提下,进行了芯片性能测试。由于封装跳线水平会对器件性能产生一定程度的影响,于是对谐振器器件的测试分别在封装前和封装后进行了两次。最终结果表明,本文中设计制作的压电驱动单晶硅传导谐振器谐振频率为10.0175MHz,Q值达到3130。峰值点插入损耗-31.2dB,峰值点处相移-185度(裸片)。其性能参数良好,器件工作正常。本文出色解决了新型压电谐振中主要相关问题:如何有效的设计和论证参数;如何针对其谐振特点进一步提高效率;如何在原有工艺条件的基础上设计和创新;如何测试和封装。这一系列问题是该类谐振器器件制作过程中至关重要的。本文的工作为国内未来研究该类谐振器打下了基础。