本文主要针对全固态染料敏化纳米晶/微晶硅薄膜复合太阳电池内光生电子空穴分离、迁移和复合抑制机理做了研究。通过掺杂研究染料敏化纳米晶多孔膜覆合微晶硅层的微结构控制、能带调控，强化界面电荷迁移，抑制膜内电子空穴的复合。这种新型复合薄膜太阳电池利用纳米晶多孔工作电极的多数载流子传输不强调对二氧化钛纳米晶结构的完整性以获得高光电转化效率低成本电极，同时又吸取了P型微晶硅薄膜成熟稳定的特性，是新结构太阳电池研究的创新性探索。 　　文章从建立染料敏化纳米晶/微晶硅薄膜复合太阳电池电池等效电路切入，建立电容、电阻、光电流等与掺杂浓度之间的关系。而后分别利用不同离子掺杂微晶硅与二氧化钛，在保证能级匹配的原则下，考察其带隙、电子结构等光电特性。最后模拟仿真了电阻等参量的变化所带来的I-V曲线变化，得出了掺杂对于电池特性的影响。 　　结果表明，新型复合薄膜太阳电池微晶硅层选用1.4nm的晶粒进行原子数比例为0.65%的B离子掺杂，可以满足能级匹配的要求。我们对二氧化钛纳米晶多孔膜层进行了掺杂Al的改性研究。二氧化钛掺杂12.5%的Al离子，它的能带结构发生变化。这利于电子跃迁与捕获，可以增加吸收光强，抑制载流子的复合，对于光阳极的改善明显。