【摘 要】
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该论文研究了基于Sol-Gel方法的改进的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜制备方法.对为了克服PZT中Pb容易挥发,不易控制其含量,并提高PZT薄膜的抗疲劳特性,PZT进行了掺Sr的改性实验,分析
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该论文研究了基于Sol-Gel方法的改进的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜制备方法.对为了克服PZT中Pb容易挥发,不易控制其含量,并提高PZT薄膜的抗疲劳特性,PZT进行了掺Sr的改性实验,分析了掺Sr的量和退火温度对PSZT薄膜特性的影响.最后研究了在PZT掺Sr的极限情况Pb<,0>Sr<,1.0>(ZrTi)O<,3>即SrZrTi(SZT)薄膜的制备和特性.针对不挥发铁是存储器(FeRAM)流片过程中遇到的问题,对FeRAM的制作工艺进行了调整和改进,并对其中的关键工艺进行了细致的研究.解决了FeRAM流片中遇到了大部分问题.最后设计制作了一个测试FeRAM单元工作原理的电路,验证了FeRAM的工作原理.
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