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ZnO具有纤锌矿晶体结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,有良好的物理性能和结构特性,因此具有广泛应用前景,与此同时,Al掺杂ZnO薄膜也成为人们研究的热点。本文采用射频磁控溅射的方法制备了Pt薄膜和AZO薄膜,利用X射线衍射分析、原子力显微镜、反射光谱及霍尔效应对薄膜进行了相应的分析,探讨了Pt薄膜和AZO薄膜的微观电学性能。论文分为以下两个部分：Ⅰ利用反应磁控溅射方法在蓝宝石基片上制备了Pt薄膜。XRD以及φ扫描的结果表明Pt薄膜择优取向为(111)并且与蓝宝石基片有良好的外延关系。原子力显微镜的结果说明Pt薄膜表面的晶粒大小基本小于200nm,平均的面粗糙度为1.12nm,晶粒比较均匀。导电原子力的测试结果说明探针与Pt薄膜之间属于欧姆接触。通过定点I-V曲线的测量,发现接触电阻的大小与探针与薄膜表面的接触位置有,在晶界处接触电阻偏大；在晶粒处,接触电阻偏小。Ⅱ利用反应磁控溅射方法,在硅基片上制备了Al掺杂ZnO薄膜。通过对样品霍尔效应的测量,发现样品的载流子浓度达到1.52×1021cm-3,具有良好的导电性。原子力显微镜测试结果显示出,薄膜晶粒比较小,在50-100nm之间,形貌均匀,表面粗糙度在8nm左右。在导电原子力测得的电流图像中,电流呈不均匀分布,电流集中在晶粒的位置,而晶界的位置很少有电流出现。通过测量薄膜不同位置的I-V曲线,得到了类似于肖特基接触的伏安特性曲线,并且发现不同位置的I-V曲线的开端电压有明显的差异。通过I-V曲线拟合给出了AZO薄膜不同位置对应的肖特基势垒的理想因子。通过理论分析可以得出,薄膜表面电流的不均匀分布,可能与薄膜表面形貌有关。薄膜的不同位置形成的肖特基结具有不同的结面积和结厚度,表现出不同的电流分布。