二维材料因具有独特的物理、化学特性而被广泛应用于不同的领域,采用不同的方法对其本征性质进行调控是目前的研究热点,其中插层被认为是一种有效的调控方法。对于如今二维电子器件的实际制造及集成来说,实现离子的空间控制,甚至微纳材料表面的图案化是更为广泛的要求,而目前部分主流的插层方法均难以实现;基于此,本文的研究重点主要是探索一种可控局域定位离子插层二维材料的普适方法并应用于实际器件制造过程。具体研究成果包括:（1）基于二维氧化钼（α-Mo O₃）材料体系提出新的离子插层方法,通过将微米级的金属锌颗粒置于Mo O₃表面并浸泡在Co离子盐溶液中,通过系列表征证明插层引起Mo O₃结构以及光电特性的改变。进一步对方法进行改进实现定位插层,通过研究金属颗粒种类及溶液浓度对插层速率的影响,证明该插层方法内部机制源自于原电池模型,因此成功将该方法拓展至其它金属阳离子(Cu²⁺、Sn⁴⁺)的插层及材料体系（Mo S₂、WS₂、Mo Se₂、WSe₂、graphene）。（2）将定位离子插层方法应用于器件制备,研究不同种类的插层对光电器件的影响,在单个Mo O₃纳米片的不同区域实现不同种类插层,包括单离子插层和多离子插层。结果表明,多离子插层沟道器件相对于其它沟道器件表现出高电导、高开关比和高光响应度(3.2 AW^-1)的优越光电性能,结合理论计算证明光电性能的改善源自于多机制的协同增强效应。（3）基于定位插层方法对插层程度做进一步的研究,选择H离子插层,结果表明插层程度对结构有明显的影响,而引起的电学特性改变是相似的,基于此在单一纳米片上制备4种不同性质的场效应晶体管,其中包括全区域插层沟道以及本征/插层异质结沟道,输出曲线表明异质结器件表现出明显的调制效果,其中插层程度较低的异质结器件效果最优。