磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)具有高电子迁移率、优良的噪声性能和良好的抗辐射特性等优点,非常适合制作低噪声放大器,现在已经逐步发展为MMIC甚至TMIC领域中一个非常有竞争力的技术。本文做了如下工作:1、介绍了太赫兹单片低噪声放大器的最新进展,简要分析了InP HEMT的器件特性以及相关工艺,并对在片测试技术进行了简要的介绍,包括几种常用的二端口校准技术以及二端口去嵌技术。根据器件在片测试结果,建立小信号等效电路模型以及噪声等效电路模型,设计了一款太赫兹单片低噪声放大器。设计过程包括电路拓扑结构的选取,偏置电路和匹配电路的设计,电路的仿真与优化,最后在版图调整规则下确定了电路版图。2、利用国内自主研发的0.1μm InP HEMT工艺对太赫兹单片低噪声放大器进行了流片、测试及结果分析。在Vd=1.7V,Vg=0V偏置条件下,低噪声放大器小信号增益在101.3~106.1GHz内大于5dB,在104GHz处达到最大增益7.007dB,输入、输出回波损耗优于-5dB。虽然电路实测结果与设计指标有一定的差距,但在太赫兹InP HEMT单片低噪声放大器研究方面利用自主工艺技术做了突破性的尝试。本课题的研究对于提高我国在太赫兹技术领域的整体水平,缩小与国外领先水平的差距,打破发达国家对我国的技术封锁具有重要的现实意义。