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本工作利用注量l×109～2×1013 cm-2，2 MeV质子辐照量子阱GaAs空间太阳电池，对其辐射效应进行了研究。结果表明：随质子辐照注量的增加，量子阱GaAs太阳电池短路电流ISC、开路电压VOC、最大输出功率Pmax和填充因子FF的衰降程度均增大。当辐照注量小于3×1012cm-2时，Voc衰降程度比ISC的大，当注量大于3×1012cm-2时，电池ISC衰降程度比Voc的大，这与电池量子阱结构受到辐射损伤有关；量子阱太阳电池光谱响应的衰降在整个波长范围随辐照注量的增加而增大，注量2×1013 cm-2质子辐照使电池量子阱光谱响应特性在900～1000 nm范围消失；量子阱GaAs电池电性能衰降与质子辐照引入的EC-0.35eV深能级缺陷有关，且缺陷浓度随辐照注量的增加而增大；量子阱GaAs空间太阳电池的抗辐射性能比无量子阱结构的普通GaAs/Ge太阳电池要差。