a-SiC:H薄膜的制备及其光伏器件应用

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【摘要】

：

窗口层在p-i-n型太阳电池中起着一个重要的作用。本论文采用等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD),首先在玻璃衬底上制备了光学带隙为2.46eV的氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜,并利用台阶仪、X射线光电子谱(XPS)、紫外可见光谱(UV-VIS)等技术手段实验研究了射频功率、衬底温度、反应压强和气体流量对薄膜的生长速率、结构成分和光学带隙的影响。实验发现,光学带隙随着上述条件而变化。以B

【作者】

：

王峰

【机构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2013年06期

【关键词】

：

PECVD a-SiC：H p-(a-SiC：H) p-(a-SiC：H)/i-(nc-Si：H)/n-(nc-Si：H)太阳电池

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