电子束沉积技术相关论文
采用电子束沉积技术生长W掺ZnO(WZO,ZnO:W)透明导电氧化物(TCO)薄膜(即WZO-TCO薄膜)并研究了衬底温度(100～350℃)对薄膜微观结构、......
利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率In2O3基W-Mo共掺(IMWO,In2O3:WO3/MoO3)薄膜,研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度对薄膜的微观......
利用离子源辅助双源电子束沉积技术，制备了YbF3-In2O3新型透明导电薄膜。该薄膜在可见区具有良好的透射率(平均透射率为86.6％)，其......
该文对稀土离子激活的AES基电子俘获材料CaS：Eu,Sm的能带结构,上转换发光机理、多晶粉末和薄膜的制备工艺及性能、电子俘获纳米材料......
利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO（In2O3∶WO3）薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层......
采用电子束沉积技术在石英玻璃、硅片基板上沉积了TiO2薄膜,利用热蒸发技术在TiO2薄膜表面沉积了不同厚度的Ag膜,研究了Ag膜厚度对......
采用电子束沉积方法制备了Ag-TiO2光催化剂,采用电子扫描显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、紫外-可见（UV-Vis）光谱仪和原子......
