【摘 要】
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该文通过X射线衍射分析、原子力显微镜观察、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有G
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该文通过X射线衍射分析、原子力显微镜观察、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝主石(Al<,2>O<,3>)衬底上,生长的GaN基材料的微观结构、表面形貌、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有很高的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向,缓冲层充分地发挥了作用.透射电镜观察表明越晶格样品的周期结构分布均匀,确定了超晶格的周期为13.3nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中.原子力显微镜观察到样品表面很平整,表面粗糙度低于1nm,薄膜中螺位错为主要的位错类型.此外,掺杂对GaN基材料的组织和形貌影响不大.光致发光测试分析表明,未掺杂GaN有很好的发光性能,超晶格的发光性能比未掺杂GaN高出5到10倍.由此可见,掺杂对样品的发光性能影响很大,原因是掺杂引入了新的能级和缺陷.同时研究发现黄带发光普遍存在于每个样品中.
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