作为代表性的高-k材料,Hf02与硅基CMOS集成电路工艺具有良好的兼容性,并已经被广泛应用于微电子工业。近几年的研究发现,使用特殊工艺制备的Hf02基薄膜具有优异的铁电性能。因此,采用Hf02基新型铁电薄膜材料代替锆钛酸铅(PZT)等传统铁电材料将有望突破制约非易失性铁电存储器发展的材料瓶颈。本论文初步探索了两种不同的溶胶.凝胶工艺制备纯Hf02以及Y掺杂的Hf02纳米薄膜。具有铁电性的Hf02薄膜制备在工艺上有几个难点需要注意：薄膜厚度要足够薄,需将薄膜控制在10nm左右；制备工艺需满足薄膜中掺杂的要求；最后,Hf02薄膜质量需满足电学性能要求。采用椭偏仪和X射线反射率(XRR)技术测量薄膜的厚度；薄膜表面形貌以及表面粗糙度的测试通过原子力显微镜(AFM)来完成；采用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜化学键结合情况以及各元素的含量进行了分析；最后,通过铁电性能分析仪对Y掺杂Hf02薄膜电容器的电学性能进行了测量。采用表面溶胶.凝胶方法可以制备出超薄Hf02薄膜,但是随着浸镀次数的增加,薄膜的生长趋于饱和,膜厚很难超过5nm；同时该工艺难以对薄膜进行掺杂改性。采用纯水基溶胶.凝胶工艺能够稳定制备出厚度为10nm的Y掺杂Hf02薄膜,薄膜成分符合化学计量比,表面粗糙度仅为0.19nm,初步的电学性能测试结果表明该工艺适合于面向存储器应用的高性能Hf02基铁电薄膜的制备。