材料科学的发展日新月异，当今材料正朝着功能多元化、结构复杂化的方向发展。多铁材料不但具有铁电性、铁磁性或铁弹性，还可兼具压电性、热释电性及非线性等性能，在磁电耦合、磁光调制、压电器件、红外探测、信息存储、非线性光学等方面有着广泛的应用前景。本论文针对几种典型铁电、多铁材料的关键问题开展了系列的研究工作，主要内容包括以下几个方面:　　第一章介绍了论文的研究背景。介绍了铁电薄膜材料的结构和性质，比较了铁电薄膜制备技术的优缺点;介绍了多铁材料的结构、功能及其相互关系;分析了拓扑缺陷结构的分布与晶体性质的关系;并给出了本论文的工作安排。　　第二章研究了铌酸锂薄膜在硅表面的沉积生长。首先分析了铌酸锂薄膜的光电特性和制备方法，然后介绍了理论研究薄膜制备过程中的常用方法，通过耗散分子动力学(DPD)方法模拟了铌酸锂薄膜在硅衬底生长的沉积过程，并与用激光分子束外延(LMBE)技术生长的铌酸锂薄膜进行了对比，获得了制备铌酸锂薄膜的理想温度和衬底条件，研究结果也表明了DPD方法能够应用于固体氧化物薄膜的界面模拟。　　第三章研究了六角型多铁晶体RMnO3(R=Er，Yb，Y)的无序铁电畴涡旋结构。首先介绍了铁电畴的涡旋和反涡旋结构，分析了涡旋结构的变化与相变的关系;然后实验上观察了铁电晶体内部大量的畴涡旋结构及其分布，在统计分析的基础上，对它们的产生过程、机理、随相变的演化等进行了深入的研究，发现涡旋和反涡旋的分布符合Kibble-Zurek模型对U(1)对称的预测。　　第四章生长并研究了掺杂Fe离子对多铁锰酸镱晶体磁学性能的影响。我们首先分析了多铁材料的结构、性质及其构效关系，然后合成了一系列掺杂的锰酸镱晶体，分析了晶体的物相随掺杂量的变化，给出了Fe离子的最大掺杂量，研究表明，掺Fe锰酸镱晶体对比未掺杂的锰酸镱晶体，磁学性能和尼尔相变温度均得到了提高。　　第五章对本论文的工作进行了总结和展望。